深耕先进工艺复杂设计规则与可制造性设计，覆盖全套前沿版图研发业务，适配7nm/5nm等先进工艺研发场景
基于FinFET特有鳍式器件结构，完成反相器、与非门、触发器等全套数字逻辑单元版图开发，严格遵循FinFET Fin数量约束、栅极切割、器件朝向、扩散共享等专属工艺规则，完成DRC/LVS全验证，保障单元紧凑性、布线友好性与量产稳定性。
专为FinFET先进工艺芯片设计输入输出端口版图，包含电源IO、信号IO、ESD防护IO等模块，适配先进工艺电压域约束、闩锁防护、天线效应、电迁移（EMIR）可靠性规则，解决先进工艺IO端口密度高、耐压约束严苛、封装适配难度大等问题。
面向客户定制化需求，提供各类模拟IP、数字IP、混合信号IP的FinFET版图定制设计，涵盖运算放大器、带隙基准、振荡器、电源管理等核心IP，依托AI辅助匹配优化、寄生抑制、噪声隔离设计，实现IP性能最优、可直接集成复用。
针对FinFET工艺高集成度存储单元场景，完成SRAM等存储器阵列版图布局布线，优化阵列密度、单元一致性、冗余结构与走线寄生，严格管控先进工艺存储器件漏电、工艺偏差问题，保障存储模块稳定性与良率。
基于FinFET原厂工艺文件，完成PDK工艺库适配、工艺层定义、设计规则梳理、器件模型校准、版图验证规则调试，搭建稳定、合规、可商用的FinFET芯片设计环境，解决先进工艺PDK迭代快、规则复杂、适配难度高的行业痛点。
自主搭建FinFET工艺专属关键器件库、匹配单元库、Dummy单元库、隔离防护库，标准化各类先进工艺专用版图单元，沉淀工程化设计模板，大幅提升先进工艺版图设计效率与项目交付一致性。同时可完整承接FinFET工艺下OP、BG等核心模拟模块的版图设计、寄生优化、物理验证、问题整改与项目交付，满足高端、先进制程芯片量产研发需求。
微信扫码联系我们
